繼NANO-MASTER*技術(shù)的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應(yīng)用于NANO-MASTER的刻蝕系統(tǒng)，ICPECVD沉積系統(tǒng)，PA-MOCVD生長系統(tǒng)之后，該ICP離子源順利應(yīng)用于ALD系統(tǒng)。

由于該型技術(shù)設(shè)計(jì)的ICP源為平面設(shè)計(jì)的遠(yuǎn)程等離子源，可以在更低電源下達(dá)到更高的離子密度，具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優(yōu)勢，確保了該ALD系統(tǒng)具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短（沉積效率可以達(dá)到兩倍以上）的先進(jìn)性能。此外，可以實(shí)現(xiàn)低溫（100度以內(nèi)）的薄膜生長。