ICP刻蝕機(jī)作為核心刻蝕工藝設(shè)備，其工藝表現(xiàn)將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率，憑借其優(yōu)良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，濕法刻蝕由于其固有的局限性，已不能滿足超大規(guī)模集成電路微米、甚至納米級(jí)細(xì)線條的工藝加工要求，干法刻蝕逐漸發(fā)展起來(lái)。在干法刻蝕中，感應(yīng)耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡(jiǎn)稱ICP)刻蝕法由于其產(chǎn)生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側(cè)壁垂直度高以及光潔度好，逐漸被廣泛應(yīng)用到半導(dǎo)體工藝技術(shù)中。
ICP刻蝕機(jī)的基本原理是在真空低氣壓下，ICP射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF射頻作用下，這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。
現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝對(duì)刻蝕的要求越來(lái)越高，ICP刻蝕設(shè)備滿足了這種需求。為保證工藝的穩(wěn)定性、重復(fù)性，設(shè)備的穩(wěn)定性是關(guān)鍵因素之一。熟練掌握ICP刻蝕機(jī)的原理與組成構(gòu)造，掌握影響ICPE工藝的各方面因素，可以極大的縮短設(shè)備故障后的修復(fù)時(shí)間。另外，定期對(duì)設(shè)備進(jìn)行保養(yǎng)也是保證設(shè)備穩(wěn)定的一個(gè)重要手段。
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更新時(shí)間：2020-05-20 
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