等離子去膠機和清洗系統(tǒng)是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用PC控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有*的能力:可以從PE等離子刻蝕切換到RIE刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
等離子去膠機的工作原理：
等離子去膠法，去膠氣體為氧氣。其工作原理是將硅片置于真空反應系統(tǒng)中，通入少量氧氣，加1500V高壓，由高頻信號發(fā)生器產(chǎn)生高頻信號，使石英管內(nèi)形成強的電磁場，使氧氣電離，形成氧離子、活化的氧原子、氧分子和電子等混合物的等離子體的輝光柱。活化氧（活潑的原子態(tài)氧）可以迅速地將聚酰亞胺膜氧化成為可揮發(fā)性氣體，被機械泵抽走，這樣就把硅片上的聚酰亞胺膜去除了。等離子去膠的優(yōu)點是去膠操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔、無劃痕、成本低、環(huán)保
電介質(zhì)等離子體刻蝕設備一般使用電容耦合等離子體平行板反應器。在平行電極反應器中，反應離子刻蝕腔體采用了陰極面積小，陽極面積大的不對稱設計，被刻蝕物是被置于面積較小的電極上。在射頻電源所產(chǎn)生的熱運動作用下帶負電的自由電子因質(zhì)量小、運動速度快，很快到達陰極；而正離子則由于質(zhì)量大，速度慢不能在相同的時間內(nèi)到達陰極,從而使陰極附近形成了帶負電的鞘層。正離子在鞘層的加速下，垂直轟擊硅片表面，加快表面的化學反應及反應生成物的脫離，導致很高的刻蝕速率。離子轟擊也使各向異性刻蝕得以實現(xiàn)等離子體去膠的原理和等離子體刻蝕的原理是一致的。不同的是反應氣體的種類和等離子體的激發(fā)方式。
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更新時間：2021-03-26 
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