反應(yīng)離子刻蝕

NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕概述：

NRE-4000是一款獨(dú)立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持至大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10^-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動(dòng)系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實(shí)時(shí)顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實(shí)時(shí)顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級(jí)訪問功能:操作員級(jí)、工程師級(jí)、工藝人員級(jí),以及維護(hù)人員級(jí).允許半自動(dòng)模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動(dòng)執(zhí)行程序模式(操作模式)運(yùn)行系統(tǒng)。基于全自動(dòng)的控制，該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。

NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體
• 不銹鋼立柜
• 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬
• 典型的硅刻蝕速率，400 ?/min
• 高達(dá)12”的陽(yáng)極氧化鋁RF樣品臺(tái)
• 水冷及加熱的RF樣品臺(tái)
• 大自偏壓
• 淋浴頭氣流分布
• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級(jí)別
• 渦輪分子泵
• 至多支持8個(gè)MFC
• 無(wú)繞曲氣體管路
• 自動(dòng)下游壓力控制
• 雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）
• 終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
• 氣動(dòng)升降頂蓋
• 自動(dòng)上下載片
• 預(yù)真空鎖
• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
• 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)
• *的安全聯(lián)鎖
• 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái)，用于深硅刻蝕

Features：

• Aluminum or Stainless Steel Chamber
• Stainless Steel Cabinet
• Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals
• Typical Si etch rate, 400 ?/min
• Up to 12“ Anodized RF Platen
• Water Cooled and Heated RF Platen
• Large Self Bias
• Shower Head gas distribution
• Approximay 10^-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10^-7 Torr base pressure
• Turbomolecular Pump
• Up to eight MFCs
• No flexing of gas lines
• Down Stream Pressure Control
• Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）
• End Point Detection
• Pneumatically Lifted Top
• Automatic loading/unloading
• Load Lock
• PC Controlled with LabVIEW
• Recipe Driven, Password Protected
• ully Safety Interlocked 
• Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch