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熱真空環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備是一種用于模擬真空環(huán)境下物體受熱的設(shè)備，通常用于航空航天、半導(dǎo)體制造、材料科學(xué)和工程等領(lǐng)域。該設(shè)備可以通過(guò)控制溫度、壓力和氣體組成等參數(shù)來(lái)模擬各種真空環(huán)境下的熱應(yīng)力。該設(shè)備主要由真空室、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集和控制系統(tǒng)等組成。真空室是核心部件之一，其主要功能是提供真空環(huán)境下的測(cè)試空間，并保證測(cè)試空間內(nèi)的真空度。真空室通常由不銹鋼或鋁合金制成，并具有較高的抗腐蝕性和耐高溫性能。為了保證測(cè)試精度，真空室內(nèi)表面必須經(jīng)過(guò)特殊處理，如...

微波PECVD是一種使用微波等離子體來(lái)制備薄膜的方法。在微波過(guò)程中，通過(guò)微波激勵(lì)在等離子體氣氛中生成活性離子和激發(fā)態(tài)粒子，這些粒子以高能量撞擊到表面，從而促使反應(yīng)物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成薄膜。與傳統(tǒng)PECVD方法相比，具有許多優(yōu)點(diǎn)。首先，可以在相對(duì)寬廣的壓力范圍內(nèi)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)。其次，可以在低功率下生長(zhǎng)高質(zhì)量薄膜。更重要的是，可以在低溫下生長(zhǎng)薄膜，是一種非常適合于材料生長(zhǎng)的方法。通過(guò)使用微波場(chǎng)使振蕩的分子激發(fā)成等離子體狀態(tài)。等離子體狀態(tài)的氣體分子具有活性，可出現(xiàn)分子分解或發(fā)生化學(xué)反...

PEALD系統(tǒng)是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)備制造、太陽(yáng)能電池和納米材料研究等領(lǐng)域。以原子層沉積技術(shù)為基礎(chǔ)，通過(guò)在反應(yīng)室中交替注入兩種氣體，執(zhí)行反應(yīng)和清洗過(guò)程，實(shí)現(xiàn)對(duì)表面沉積物的逐層生長(zhǎng)。PEALD系統(tǒng)的組成由四個(gè)主要部分構(gòu)成：反應(yīng)室、進(jìn)氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)。其中反應(yīng)室是最重要的組成部分，用于承載沉積表面和反應(yīng)氣體。反應(yīng)室具有良好的密封性能，以確保反應(yīng)氣體能夠準(zhǔn)確傳遞到沉積表面。反應(yīng)室內(nèi)部的沉積表面是由基板表面形成的，在表面形成的沉積物層上進(jìn)行PEALD沉積...

掩模板清洗機(jī)是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強(qiáng)。SWC和LSC具備對(duì)點(diǎn)試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個(gè)基片上的分布。掩模板清洗機(jī)應(yīng)用：1.帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片2.Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗3.CMP處理后的晶圓片...

原子層沉積設(shè)備是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。原子層沉積設(shè)備的特點(diǎn)1、傳輸管路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，有效地避免管路堵塞及交叉污染問(wèn)題2、工業(yè)化級(jí)別標(biāo)...

進(jìn)口晶圓清洗機(jī)采用旋轉(zhuǎn)噴淋技術(shù)實(shí)現(xiàn)清洗功能，清洗方法是利用所噴液體的溶解作用來(lái)溶解硅片表面的污漬，同時(shí)利用高速旋轉(zhuǎn)的離心作用，使溶有雜質(zhì)的液體及時(shí)脫離硅片表面。同時(shí)由于所噴液體與旋轉(zhuǎn)的硅片有較高的相對(duì)速度，會(huì)產(chǎn)生較大的沖擊力，實(shí)現(xiàn)清除吸附雜質(zhì)。清洗完成后采用惰性氣體直接干燥，完成對(duì)硅片的清洗。進(jìn)口晶圓清洗機(jī)的應(yīng)用：1、帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片2、Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗3、CMP處理后的晶圓片清洗4、晶圓框架上的切粒芯片清洗5、等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗...

空間環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備腔體的大致尺寸為：直徑24"，長(zhǎng)度43"。帶有一個(gè)16"x32"的滑動(dòng)加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺(tái)也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個(gè)平臺(tái)的溫度均勻度可達(dá)/-1攝氏度。加熱平臺(tái)安裝在滾軸上，可以方便拉出至大到75%的長(zhǎng)度，腔體提供20個(gè)RF連接頭，尺寸為2.92mm，可以支持高達(dá)40GHz的頻率。腔體的兩側(cè)分別有一個(gè)50針的引線。真空系統(tǒng)包含HiPace1200（1000L/s抽速）渦輪分子泵以及一個(gè)ISP500...

RIE刻蝕機(jī)是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radiofrequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ionsheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（ReactiveIonEtching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊。為達(dá)到此目的，必須對(duì)真空度，氣體流量，離子加速電壓等進(jìn)行最佳調(diào)整，同時(shí)，為得到高密度的等離子體，需用...